निम्नलिखित में से कौन सा ऊर्जा बैंड आरेख क्रमशः $N-$प्रकार के अर्धचालक और $P-$प्रकार के अर्धचालक को दर्शाता है?

$1 \ m^3$ में सिलिकॉन परमाणुओं की संख्या $5 \times 10^{28}$ है। इसे $4.5 \times 10^{21}$ परमाणु $/ m^3$ आर्सेनिक के साथ डोप किया जाता है। डोपिंग के बाद इलेक्ट्रॉनों की संख्या और होल्स की संख्या का अनुपात क्या होगा? ($n_i = 1.5 \times 10^{16} / m^3$ लें)

$500\, K$ पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की समान सांद्रता $1.5 \times 10^{16}\, m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ हो जाता है। डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का है?

यदि $n_e$ और $v_d$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व और अनुगमन वेग (drift velocity) हैं,तो तापमान बढ़ाने पर क्या होता है?

$n$-प्रकार और $p$-प्रकार के अर्धचालक को शुद्ध सिलिकॉन में क्रमशः किनके अपमिश्रण (doping) द्वारा प्राप्त किया जा सकता है?

$P$-प्रकार के अर्धचालक में, स्वीकर्ता (acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ वैलेंस बैंड के ऊपर $57 \, meV$ पर स्थित है। होल बनाने के लिए आवश्यक अधिकतम तरंगदैर्ध्य ....... $\mathring{A}$ है। (दिया है: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)