$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?
- Aदाता स्तर चालन बैंड (conduction band) के निचले हिस्से के ठीक नीचे स्थित होता है।
- Bदाता स्तर संयोजी बैंड (valence band) के शीर्ष के ठीक ऊपर स्थित होता है।
- Cदाता स्तर वर्जित ऊर्जा अंतराल (forbidden energy gap) के मध्य में स्थित होता है।
- Dउपरोक्त में से कोई नहीं।
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$300 \text{ K}$ तापमान पर एक शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता $(n_i) = 10^{16} \text{ per m}^3$ है। यदि प्रति घन मीटर $10^{21}$ फास्फोरस परमाणु $(n_D)$ मिलाए जाते हैं, तो सिलिकॉन क्रिस्टल में नई होल सांद्रता क्या होगी?
DifficultMHT CET 2026
View Solutionयदि एक अर्धचालक की आंतरिक वाहक सांद्रता $1.41 \times 10^{16} \, m^{-3}$ है,और इसे $10^{21} \, m^{-3}$ फास्फोरस के साथ डोप किया जाता है,तो कमरे के तापमान पर होल्स की सांद्रता क्या होगी?
Difficult
View Solutionजब $Ge$ क्रिस्टल को फास्फोरस परमाणुओं के साथ डोप किया जाता है,तो यह बन जाता है
Easy
View Solutionयदि जर्मेनियम क्रिस्टल में थोड़ी मात्रा में एंटीमनी मिलाया जाता है,
कमरे के तापमान पर आंतरिक $Ge$ के एक नमूने में इलेक्ट्रॉनों और होल्स की गतिशीलता (mobilities) क्रमशः $0.35 \, m^2/V-s$ और $0.18 \, m^2/V-s$ है। यदि इलेक्ट्रॉन और होल घनत्व प्रत्येक $2.5 \times 10^{19} \, /m^3$ के बराबर हैं,तो $Ge$ की चालकता.....$S/m$ होगी। ($.12$ में)
MediumAIIMS 2010
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