सिलिकॉन में अशुद्धि के रूप में निम्नलिखित में से किसे मिलाने पर $n-$प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है?

$1\,cm^{2}$ क्षेत्रफल और $0.5\,mm$ मोटाई वाली $Ge$ क्रिस्टल प्लेट के विपरीत फलकों के बीच $2\,V$ का विभवांतर लगाया जाता है। यदि $Ge$ में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता $2 \times 10^{19}/m^{3}$ है और इलेक्ट्रॉनों तथा होलों की गतिशीलता क्रमशः $0.36\,m^{2}/(V\cdot s)$ और $0.14\,m^{2}/(V\cdot s)$ है,तो प्लेट से प्रवाहित होने वाली धारा कितनी होगी ($,A$ में)?

निम्नलिखित अशुद्धियों में से कौन सी अशुद्धि त्रिसंयोजक (trivalent) नहीं है?

कमरे के तापमान पर आंतरिक सिलिकॉन के एक क्रिस्टल में वाहक सांद्रता $1.6 \times 10^{16} / m^3$ है। यदि दाता सांद्रता स्तर $4.8 \times 10^{20} / m^3$ है, तो अर्धचालक में होल्स की सांद्रता क्या होगी?

एक $P$-प्रकार के अर्धचालक में ग्राही स्तर (acceptor level) संयोजी बैंड (valence band) से $57 \, meV$ ऊपर है। एक होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या होगी? (प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J-s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} \, C$)

यदि $n_e$ और $n_h$ एक बाह्य (extrinsic) अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता हैं और $n_i$ आंतरिक (intrinsic) वाहक सांद्रता है, तो: