निम्नलिखित अशुद्धियों में से कौन सी अशुद्धि त्रिसंयोजक (trivalent) नहीं है?

$P$-प्रकार के अर्धचालक में फॉरबिडन गैप में वैलेंस बैंड के निकट जो ऊर्जा स्तर बनता है,उसे ...

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल की चालकता क्या होगी? यदि आंतरिक वाहक सांद्रता $1.072 \times 10^{10} \ cm^{-3}$ है और इस तापमान पर इलेक्ट्रॉन गतिशीलता $\mu_n = 1350 \ cm^2 / (V \cdot s)$ और होल गतिशीलता $\mu_p = 480 \ cm^2 / (V \cdot s)$ है।

ऊर्जा बैंड सिद्धांत के आधार पर $n$-प्रकार और $p$-प्रकार के अर्धचालकों की व्याख्या कीजिए।

एक अर्धचालक में,इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता $8 \times 10^{14} \text{ cm}^{-3}$ है और होल्स की सांद्रता $5 \times 10^{12} \text{ cm}^{-3}$ है। यह अर्धचालक है

जब एक $N-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,तो आवेश वाहकों (charge carriers) के साथ क्या होता है?