$P$-प्रकार के अर्धचालक में फॉरबिडन गैप में वैलेंस बैंड के निकट जो ऊर्जा स्तर बनता है,उसे ...

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉनों $n_e$ और होल्स $n_h$ की सांद्रता $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। इंडियम के डोपिंग द्वारा $n_h$ को बढ़ाकर $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ कर दिया जाता है। तो डोप्ड सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉनों $n_e$ की सांद्रता ज्ञात कीजिए।

एक सिलिकॉन नमूने को $5 \times 10^7$ सिलिकॉन परमाणुओं पर औसतन एक इंडियम परमाणु मिलाकर $P$-प्रकार के अर्धचालक में परिवर्तित किया जाता है। यदि सिलिकॉन नमूने में परमाणुओं का संख्या घनत्व $5 \times 10^{28} \text{ atoms}/m^3$ है,तो सिलिकॉन में प्रति घन सेंटीमीटर स्वीकारक (एक्सेप्टर) परमाणुओं की संख्या क्या होगी?

एक सिलिकॉन नमूने को डोपिंग द्वारा $p$-प्रकार के अर्धचालक में बदला जाता है। इसमें इंडियम का एक परमाणु प्रति $5 \times 10^7$ सिलिकॉन परमाणुओं पर मिलाया जाता है। यदि सिलिकॉन का संख्या घनत्व $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ है,तो प्रति $\text{cm}^3$ स्वीकारक (एक्सेप्टर) परमाणुओं का संख्या घनत्व ज्ञात कीजिए।

जब एक $n$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,

$P$-प्रकार का अर्धचालक तैयार करने के लिए $Si$ के नमूने में इंडियम अशुद्धि मिलाई जाती है। इस अर्धचालक में $Si$ के $5 \times 10^7$ परमाणुओं के प्रति एक इंडियम परमाणु मिलाया गया है। $Si$ के नमूने का परमाणु घनत्व $5 \times 10^{28} \text{ परमाणु/m}^3$ है,तो सिलिकॉन के $1 \text{ cm}^3$ के घन में कितने स्वीकर्ता (एक्सेप्टर) परमाणु होंगे?