$p-n$ જંકશનના નિર્માણ દરમિયાન કઈ બે મહત્વની પ્રક્રિયાઓ થાય છે?

એક $p-n$ જંકશન ડાયોડને $5.7 \ V$ ના emf ધરાવતી બેટરી સાથે $5 \ k\Omega$ ના અવરોધક સાથે શ્રેણીમાં એવી રીતે જોડવામાં આવે છે કે જેથી તે ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય. જો ડાયોડનો બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.7 \ V$ હોય અને ડાયોડનો અવરોધ અવગણવામાં આવે,તો પરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે?

આપેલ આકૃતિમાં ત્રણ સિલિકોન ડાયોડ શ્રેણીમાં જોડાયેલા છે. બિંદુ $X$ પર કેટલો વૉલ્ટેજ આપવામાં આવે તો ત્રણેય ડાયોડ ફૉરવર્ડ બાયસમાં આવશે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં, ડેપ્લેશન રિજનમાં $2 \times 10^5 \ V/m$ ના મૂલ્યનું વિદ્યુતક્ષેત્ર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. $-3e$ વીજભાર ધરાવતો કણ $n$-બાજુથી $p$-બાજુ તરફ પ્રસરણ કરી શકે છે, જો તેની પાસે ન્યૂનતમ ગતિઊર્જા $0.6 \ eV$ હોય. $p-n$ જંકશનના ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈ કેટલી હશે ($nm$ માં)?

જો નીચે દર્શાવેલ સર્કિટમાં દરેક ડાયોડનો ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ $25\,\Omega$ હોય,તો નીચેનામાંથી કયો વિકલ્પ સાચો છે?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ સર્કિટ માટે,બે કિસ્સાઓ $(i)$ $V_A > V_B$ અને (ii) $V_B > V_A$ માટે બિંદુઓ $A$ અને $B$ વચ્ચેનો સમતુલ્ય અવરોધ અનુક્રમે $\qquad \Omega$ અને $\qquad \Omega$ છે. ($D_1$ અને $D_2$ આદર્શ ડાયોડ છે)