સૂર્યની કઈ તરંગલંબાઈનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે સોલર સેલમાં વિદ્યુત ઊર્જા ઉત્પન્ન કરવા માટે થાય છે?

$LED$ નો $I-V$ લાક્ષણિકતા આલેખ નીચેનામાંથી કયો છે?

જો એક સેમિકન્ડક્ટર ફોટોડાયોડ $400\, nm$ ની મહત્તમ તરંગલંબાઇ ધરાવતા ફોટોનને શોધી શકતું હોય, તો તેની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા કેટલી હશે ($ eV$ માં)? (આપેલ છે: પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, પ્રકાશની ઝડપ $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ (Assertion) તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ (Reason) તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોટોડાયોડને રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં ચલાવવામાં આવે છે.
કારણ $R$: $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ કરતા વધારે હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

એક ફોટો-ડાયોડના પદાર્થનો બૅન્ડગૅપ $2.0 \ eV$ છે. આ પદાર્થ ઓછામાં ઓછી કઈ આવૃત્તિવાળું વિકિરણનું શોષણ કરી શકે?

એક $LED$ (Light Emitting Diode) એ $Ga-As-P$ સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલના $p-n$ જંકશનથી બનેલું છે,જેનો એનર્જી ગેપ $1.9\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?