લિથિયમ અને કોપરનું વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.0 \ eV$ છે. દ્રશ્ય પ્રકાશ (visible light) સાથે કામ કરતા ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલ માટે કઈ ધાતુ ઉપયોગી થશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, c = 3 \times 10^8 \ m/s)$

જ્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જક પર વિકિરણ આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $9 \ V$ જોવા મળે છે. જો ઈલેક્ટ્રોન માટે $e/m$ નું મૂલ્ય $1.8 \times 10^{11} \ C \ kg^{-1}$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

એક ધાતુની સપાટીને વારાફરતી $E_{1} = 4 \ eV$ અને $E_{2} = 2.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર $2$ છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $eV$ માં કેટલું હશે?

એક ફોટો-એમિસિવ પદાર્થને $\lambda_i$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે જેથી તે $\lambda_c$ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકે તેવા વિકિરણની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ માટેનું સૂત્ર શું છે? ($m$: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$h$: પ્લાન્કનો અચળાંક અને $c$: પ્રકાશની ઝડપ).

$310 \ nm$,$455 \ nm$ અને $620 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ બે માધ્યમોને અલગ કરતી સપાટી પર $45^o$ ના ખૂણે આપાત થાય છે. $455 \ nm$ ના પ્રકાશ માટે વક્રીભવનાંક $\sqrt{2}$ છે. જો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટને આ માધ્યમમાં મૂકવામાં આવે,તો ધાતુની પ્લેટમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી હશે?

$4.13 eV$ નો $UV$ પ્રકાશ $3.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($eV$ માં)?