એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બે લંબચોરસ પ્લેટો સાથે બનાવવામાં આવ્યું હતું,જેની લંબાઈ $l=3 \ cm$ અને પહોળાઈ $b=1 \ cm$ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d=3 \ \mu m$ છે. નીચેનામાંથી કઈ રીતે કેપેસીટન્સમાં $10$ ના ગુણાંકમાં વધારો કરી શકાય છે?
$A. l=30 \ cm, b=1 \ cm, d=1 \ \mu m$
$B. l=3 \ cm, b=1 \ cm, d=30 \ \mu m$
$C. l=6 \ cm, b=5 \ cm, d=3 \ \mu m$
$D. l=1 \ cm, b=1 \ cm, d=10 \ \mu m$
$E. l=5 \ cm, b=2 \ cm, d=1 \ \mu m$
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $1\; kV$ ના વોલ્ટેજ રેટિંગ સાથે ડિઝાઇન કરવાનું છે,જેમાં $3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને લગભગ $10^{7}\; V\,m^{-1}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ ધરાવતા પદાર્થનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. (ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ એ મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે જે પદાર્થ બ્રેકડાઉન વગર સહન કરી શકે છે,એટલે કે,આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ કર્યા વગર.) સુરક્ષા માટે,આપણે ઇચ્છીએ છીએ કે ક્ષેત્ર ક્યારેય ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થના $10\%$ થી વધે નહીં. $50\; pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ ($cm^2$ માં) કેટલું હોવું જોઈએ?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની રચના કરવાની છે,જેમાં $5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિકનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે,જેથી તેની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $10^9 \; Vm^{-1}$ હોય. જો કેપેસિટરનું વોલ્ટેજ રેટિંગ $12 \; kV$ હોય,તો $80 \; pF$ કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે દરેક પ્લેટનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જોઈએ?

$5 \, km \times 5 \, km$ ના કદનું એક વિશાળ વાદળ પૃથ્વીની સપાટીથી $1 \, km$ ની ઊંચાઈ પર છે. જો વાદળ અને પૃથ્વી હવાના ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક માધ્યમ સાથે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવે છે તેમ ધારીએ,તો વાદળ-પૃથ્વી તંત્રનું કેપેસિટન્સ $\mu F$ માં શોધો.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે ત્યારે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની બે પ્લેટો પર $2Q$ અને $-Q$ જેટલા વિદ્યુતભારો મૂકવામાં આવ્યા છે. જો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ હોય,તો પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?