$1.4 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक (semiconductor) से एक $p-n$ फोटोडायोड बनाया गया है। यह किस तरंगदैर्ध्य के सिग्नल का पता लगा सकता है?

एक $p-n$ फोटोडायोड $2.0\, eV$ के बैंड गैप वाले पदार्थ से बना है। इस पदार्थ द्वारा अवशोषित की जा सकने वाली विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग कितनी होगी?

एक जंक्शन डायोड के लिए $I-V$ अभिलक्षण दिखाए गए हैं। यह उपकरण है

$2.8 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ जंक्शन बनाया गया है। यह किस अनुमानित तरंगदैर्ध्य का पता नहीं लगा सकता है ($nm$ में)?
[ $h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ और $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ का उपयोग करें ]

एक फोटो-डायोड के पदार्थ का बैंडगैप $2.0 \ eV$ है। यह पदार्थ न्यूनतम किस आवृत्ति वाले विकिरण का अवशोषण कर सकता है?