હવામાં ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. બેટરીને ડિસ્કનેક્ટ કર્યા પછી,ઇન્સ્યુલેટેડ હેન્ડલનો ઉપયોગ કરીને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે છે. પરિણામે,પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત . . . . . . .

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના અવકાશને $K$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થ વડે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ શોધો.

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ ગોઠવણીને ધ્યાનમાં લો. જ્યારે કળ $K$ બંધ હોય ત્યારે સંગ્રહિત કુલ ઉર્જા $U_1$ છે. હવે કળ $K$ ને ખોલવામાં આવે છે અને બે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\epsilon_r$ ધરાવતી બે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબ પ્લેટોની વચ્ચે બરાબર ફિટ થઈ જાય છે. હવે સંગ્રહિત કુલ ઉર્જા $U_2$ છે. તો $U_1/U_2$ નો ગુણોત્તર શોધો.

કોઈ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ વગર અને $0.4 \, cm$ ના અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \, \mu F$ છે. જો અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તેમાં $2.8$ મૂલ્યનો ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટરની અંતિમ કેપેસિટન્સ .......$\mu F$ થશે.

$A$ પ્લેટ ક્ષેત્રફળ અને $d$ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ડાયઇલેક્ટ્રિક વડે ભરવામાં આવે છે. જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિકની પરમિટિવિટી નીચે મુજબ બદલાતી હોય ત્યારે કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ શું હશે:
$\varepsilon(x) = \varepsilon_{0} + kx$,$(0 < x \leq d/2)$ માટે
$\varepsilon(x) = \varepsilon_{0} + k(d-x)$,$(d/2 \leq x \leq d)$ માટે