એક સેમિકન્ડક્ટરને અશુદ્ધિ તરીકે ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે. સેમિકન્ડક્ટરમાં નિર્મિત અશુદ્ધિ સ્તરો કોની નજીક હોય છે?

જ્યારે $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને ગરમ કરવામાં આવે છે, ત્યારે

સેમિકન્ડક્ટરનું ડોપિંગ (નાના અશુદ્ધિ પરમાણુઓ સાથે) સામાન્ય રીતે અવરોધકતામાં નીચે મુજબ ફેરફાર કરે છે.

$6.4 \ \Omega^{-1} \ cm^{-1}$ વાહકતા ધરાવતો $n$-પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે શુદ્ધ જર્મેનિયમ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઉમેરવા પડતા ડોનર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા કેટલી હશે? $n$-પ્રકારના જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટી $4 \times 10^3 \ cm^2 \ V^{-1} \ s^{-1}$ છે. વાહકતામાં હોલ્સના ફાળાને અવગણો.

નીચેનામાંથી કઈ ઉર્જા બેન્ડ આકૃતિ $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને દર્શાવે છે?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ડોપિંગ શા માટે કરવામાં આવે છે?