$125$ સમાન ટીપાં,જે દરેક $50\;V$ ના સ્થિતિમાન પર ભારિત છે,તેમને ભેગા કરીને એક મોટું ટીપું બનાવવામાં આવે છે. નવા ટીપાંનું સ્થિતિમાન......$V$ થશે.

એક સમાન વિદ્યુતક્ષેત્ર $E = 4 \times 10^5 \, Vm^{-1}$ ઋણ $x$-અક્ષની દિશામાં છે,જેથી ઉગમબિંદુ પર વિદ્યુત સ્થિતિમાન શૂન્ય છે. $-200 \, \mu C$ નો વિદ્યુતભાર ઉગમબિંદુ પર અને $+200 \, \mu C$ નો વિદ્યુતભાર $(3 \, m, 0)$ પર મૂકવામાં આવે છે. તંત્રની સ્થિત-વિદ્યુત સ્થિતિઊર્જા ........... $J$ છે.

આકૃતિમાં દર્શાવેલ સર્કિટમાં $10\,V$ ના $emf$ ધરાવતી બેટરી અને $1.0\,\mu F$ તથા $2.0\,\mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા બે કેપેસીટર $C_1$ અને $C_2$ છે. પોટેન્શિયલ તફાવત $V_A - V_B = 5\,V$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

સાચા વિધાનો ઓળખો:
$A$. કેપેસિટરોના શ્રેણી જોડાણનું અસરકારક કેપેસિટન્સ હંમેશા જોડાણમાં રહેલા સૌથી નાના કેપેસિટન્સ કરતા ઓછું હોય છે.
$B$. જ્યારે કેપેસિટરની ચાર્જ થયેલી પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક માધ્યમ મૂકવામાં આવે છે, ત્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિકના ઇન્સ્યુલેશન ગુણધર્મને કારણે વિદ્યુતભારોનું સ્થાનાંતર થઈ શકતું નથી.
$C$. કેપેસિટર પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ વધારવું અથવા ડાયઇલેક્ટ્રિકની જાડાઈ ઘટાડવી એ કેપેસિટન્સ વધારવાની વૈકલ્પિક રીત છે.
$D$. બિંદુવત વિદ્યુતભાર માટે, વિદ્યુતભારના સ્થાન પર કેન્દ્રિત સમકેન્દ્રીય ગોળાકાર કવચ એ સમસ્થિતિમાન પૃષ્ઠો છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.

હવાનું ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ (ભંજન ક્ષેત્ર) $E = 3 \times 10^6 \ V/m$ છે. $6 \ m$ વ્યાસ ધરાવતા ગોળાને આપી શકાતો મહત્તમ વિદ્યુતભાર કેટલો હશે? (કુલંબમાં)

દર્શાવેલ પરિસ્થિતિ માટે, સ્થાયી અવસ્થામાં પ્રથમ કેપેસિટર અને છેલ્લા $(n^{th})$ કેપેસિટર માં સંગ્રહિત વિદ્યુતભારનો ગુણોત્તર કેટલો છે?