$20 \ \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2 \ mm$ છે. જો $1 \ mm$ જાડાઈ અને $2$ ડાય-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાય-ઈલેક્ટ્રિક ચોસલું પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ ..... $\mu F$ થશે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $80 \times 10^{-6} \ F$ છે જ્યારે તેની પ્લેટો વચ્ચે હવા હોય છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને $20$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબથી ભરવામાં આવે છે. હવે કેપેસિટરને $30 \ V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. ત્યારબાદ ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દૂર કરવામાં આવે છે. તો વાયર દ્વારા વહેતો વિદ્યુતભાર કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને અંતર $d$ છે. એક બેટરી પ્લેટોને $V_0$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરે છે. ત્યારબાદ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને $d$ જાડાઈની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબ દાખલ કર્યા પહેલા અને પછી કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$d$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \text{ pF}$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને હવે બે ડાયલેક્ટ્રિક્સ વડે ભરવામાં આવે છે, પ્રથમનું $K_1=3$ અને જાડાઈ $d_1=d/3$ છે, જ્યારે બીજાનું $K_2=6$ અને જાડાઈ $d_2=2d/3$ છે. નવા કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે ($\text{ pF}$ માં)?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3\,mm$ છે અને તેમની વચ્ચે હવા છે. હવે,$K = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થનું $1\,mm$ જાડું પડ પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે,જેના કારણે કેપેસિટન્સ વધે છે. કેપેસિટન્સને તેના મૂળ મૂલ્ય પર લાવવા માટે,પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર કેટલું કરવું જોઈએ......$mm$ ($.5$ માં)?

$200 \,\mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $200 \,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જ્યારે બેટરી જોડાયેલી રહે છે,ત્યારે કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચે $2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરમાં સ્થિત વિદ્યુત ઊર્જામાં થતો ફેરફાર ...... $J$ હશે.