બે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર શ્રેણીમાં જોડેલા છે અને ત્યારબાદ તેમને $100 \ V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. બીજા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે $4.0$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું સ્તર દાખલ કરવામાં આવે છે. તો દરેક કેપેસિટરની વચ્ચે અનુક્રમે સ્થિતિમાન તફાવત કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $40 \text{ cm}^2$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2 \text{ mm}$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $1 \text{ mm}$ જાડાઈ અને $K = 5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે. આ તંત્રનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

$3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થની એક સ્લેબનું ક્ષેત્રફળ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો જેટલું જ છે,પરંતુ તેની જાડાઈ $\left(\frac{3}{4}\right) d$ છે,જ્યાં $d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે. જ્યારે આ સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે ત્યારે પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુત સ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે? પ્રારંભિક વિદ્યુત સ્થિતિમાનનો તફાવત $V_0$ છે.

હવા ભરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $C_0$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાનો અડધો ભાગ $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે. નવું કેપેસિટન્સ $C_n$ થાય છે. $C_n$ અને $C_0$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

સમાન કેપેસિટન્સ $C$ ધરાવતા બે સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $E$ જેટલા e.m.f. ધરાવતી બેટરી સાથે સમાંતરમાં જોડવામાં આવે છે. ત્યારબાદ,એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. સમાંતર જોડાણના અસરકારક કેપેસિટન્સમાં થતો ફેરફાર કેટલો હશે?

હવામાં રહેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને તેને પ્રવાહીમાં ડૂબાડવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ બમણું થાય છે. પ્રવાહીનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?