एक फॉरवर्ड-बायस्ड P-N जंक्शन डायोड में,विभव प | vedclass

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Question

(A) जब एक $P-N$ जंक्शन डायोड को फॉरवर्ड-बायस किया जाता है,तो बाहरी बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $P$-क्षेत्र से और ऋणात्मक टर्मिनल $N$-क्षेत्र से जुड़ा होत

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(A) जब एक $P-N$ जंक्शन डायोड को फॉरवर्ड-बायस किया जाता है,तो बाहरी बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $P$-क्षेत्र से और ऋणात्मक टर्मिनल $N$-क्षेत्र से जुड़ा होता है।यह बाहरी विद्युत क्षेत्र अवक्षय परत (depletion region) के आंतरिक विद्युत क्षेत्र का विरोध करता है।परिणामस्वरूप,अवक्षय परत की चौड़ाई कम हो जाती है और विभव प्राचीर की ऊँचाई कम हो जाती है।इसलिए,फॉरवर्ड-बायस्ड $P-N$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर की ऊँचाई घट जाती है।

एक फॉरवर्ड-बायस्ड $P-N$ जंक्शन डायोड में,विभव प्राचीर (potential barrier) का व्यवहार कैसा होता है?

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