निम्नलिखित परिपथ में,एमीटर का पाठ्यांक क्या है ($mA$ में)?

क्रिस्टल डायोड एक:

यदि $Si$ और $Ge$ डायोड का बैरियर विभव क्रमशः $0.7 \ V$ और $0.3 \ V$ है,जैसा कि परिपथ में दिखाया गया है,तो $V_0$ और $I$ के मान ज्ञात कीजिए। यदि $Ge$ डायोड के कनेक्शन को उलट दिया जाए,तो $V_0$ और $I$ के नए मान क्रमशः ज्ञात कीजिए।

दिए गए परिपथ में आदर्श डायोड से प्रवाहित होने वाली धारा ज्ञात कीजिए। ($A$ में)

$P-N$ जंक्शन में डिप्लेशन लेयर (depletion layer) बनने का कारण क्या है?

यदि एक $p-n$ जंक्शन पर विभव प्राचीर (potential barrier) $0.6\,V$ है,तो $6 \times 10^{-6}\,m$ चौड़ाई वाले अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $......\times 10^{5}\,N/C$ होगी।