दिए गए परिपथ के लिए $V_{AB} = ......V$ ज्ञात कीजिए।

एक रिवर्स बायस्ड डायोड में, जब अनुप्रयुक्त वोल्टेज $1 \, V$ से बदलता है, तो धारा में $0.5 \, \mu A$ का परिवर्तन पाया जाता है। डायोड का रिवर्स बायस प्रतिरोध है

क्या हम $p-$प्रकार के अर्धचालक के एक स्लैब को दूसरे $n-$प्रकार के अर्धचालक के साथ भौतिक रूप से जोड़कर $p-n$ जंक्शन प्राप्त कर सकते हैं?

रिवर्स बायस $pn$-जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई:

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड एक बैटरी से जुड़े हैं। बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा है

$P-N$ जंक्शन डायोड को फॉरवर्ड बायस में समायोजित करने पर,डिप्लेशन लेयर और प्रतिरोध पर क्या प्रभाव पड़ता है?