निम्नलिखित में से कौन सा डायोड रिवर्स बायस में है?

एक डायोड को चित्र में दिखाए अनुसार एक संधारित्र (capacitor) के साथ श्रेणीक्रम में $220 \, V \, (rms) \, ac$ से जोड़ा गया है। संधारित्र के सिरों पर वोल्टेज है

चित्र में दिखाए गए फॉरवर्ड बायस्ड डायोड अभिलक्षणों के लिए,$I_{D} = 3 \, \text{mA}$ पर डायनेमिक प्रतिरोध $..... \, \Omega$ होगा।

जब $p-n$ जंक्शन को फॉरवर्ड बायस (अग्र अभिनति) में रखा जाता है,तो विभव प्राचीर $(V_B)$ और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $(X)$ पर क्या प्रभाव पड़ता है?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $2 \times 10^5 \ V/m$ परिमाण का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $-3e$ आवेश वाला एक कण $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) हो सकता है, यदि उसके पास न्यूनतम गतिज ऊर्जा $0.6 \ eV$ हो। $p-n$ जंक्शन के अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है: ($nm$ में)

$p-n$ जंक्शन डायोड की अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई,जब यह $(i)$ अग्र अभिनत (forward biased) और $(ii)$ पश्च अभिनत (reverse biased) होती है,क्रमशः क्या होती है?