નીચેનામાંથી કયો ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં છે?

નીચેનામાંથી કઈ આકૃતિમાં $p-n$ જંકશન ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં છે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: રિવર્સ-બાયસ સ્થિતિમાં ડાયોડ ખૂબ જ ઓછો પ્રવાહ આપે છે જે એક નિર્ણાયક મર્યાદા સુધી વોલ્ટેજથી લગભગ સ્વતંત્ર હોય છે, જેના પર પ્રવાહમાં તીવ્ર વધારો થાય છે.
કારણ $R$: નિર્ણાયક વોલ્ટેજ મર્યાદાની નીચે, માત્ર મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ વહે છે જે નિર્ણાયક વોલ્ટેજની ઉપર તીવ્રતાથી વધે છે.

નીચેનામાંથી કયું રિવર્સ-બાયસ્ડ (reverse-biased) છે?

જો $p-n$ જંકશન પરનો પોટેન્શિયલ બેરિયર $0.6\,V$ હોય,તો $6 \times 10^{-6}\,m$ પહોળાઈ ધરાવતા ડેપ્લેશન રિજનમાં વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા $......\times 10^{5}\,N/C$ થશે.

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં બેન્ડ ગેપ $0.6 eV$ છે. આ સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડી બનાવવા માટે સક્ષમ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક રેડિયેશનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($nm$ માં)? [$hc = 1242 eV-nm$ નો ઉપયોગ કરો]