$4000 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટો-સંવેદી સપાટી પર આપાત થાય છે. જો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે $-2 \ V$ ના પોટેન્શિયલની જરૂર પડતી હોય,તો પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, e = 1.6 \times 10^{-19} \ C, c = 3 \times 10^8 \ m/s)$

  • A
    $1.1$
  • B
    $2.0$
  • C
    $2.2$
  • D
    $3.1$

Explore More

Similar Questions

ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા માત્ર શેના પર આધાર રાખે છે?

પ્રકાશ તરંગ સાથે સંકળાયેલ ચુંબકીય ક્ષેત્ર ઉગમબિંદુ પર $B = B_0 [\sin(3.14 \times 10^7 ct) + \sin(6.28 \times 10^7 ct)]$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. જો આ પ્રકાશ $4.7 \ eV$ નું વર્ક ફંક્શન ધરાવતી સિલ્વર પ્લેટ પર પડે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? ($eV$ માં)

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતું વિકિરણ ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v$ છે. જ્યારે $3\lambda/4$ તરંગલંબાઇ ધરાવતું વિકિરણ ફોટોસેલ પર આપાત થાય ત્યારે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

Difficult
View Solution

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોસેલના એમિટર પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $V$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $2\lambda / 3$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

એક ધાતુની સપાટી પર $400 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $1.68 \ eV$ માલૂમ પડે છે. તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય ............ $eV$ છે $(hc = 1240 \ eV \ nm)$.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo