જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોસેલના એમિટર પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $V$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $2\lambda / 3$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

જ્યારે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v$ થી બદલાઈને $\frac{3v}{2}$ થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ બમણું થાય છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે?

જ્યારે પ્રકાશ સંવેદી સપાટી પર પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સપાટી પરથી ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે. આ ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા શેના પર આધાર રાખતી નથી?

નિયોન લેમ્પમાંથી $640.2 \;nm$ $(1 \;nm = 10^{-9} \;m)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું એકવર્ણી વિકિરણ ટંગસ્ટન પર સીઝિયમથી બનેલી પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર આપાત થાય છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.54 \;V$ માપવામાં આવે છે. સ્ત્રોતને બદલીને આયર્ન સ્ત્રોત મૂકવામાં આવે છે અને તેની $427.2 \;nm$ ની રેખા તે જ ફોટો-સેલ પર આપાત થાય છે. નવું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ($V$ માં) શોધો. ($;V$ માં)

$600 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના સંપર્કમાં રહેલી એક ધાતુને ધ્યાનમાં લો. જ્યારે $400 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $eV$ માં શોધો.

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $3.0 \ eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે તેવા પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($nm$ માં)?