એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $3.0 \ eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે તેવા પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($nm$ માં)?

જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_1$ અને $E_2$ છે. પ્રકાશસંવેદી સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે,ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E_k$ ને આપાત ફોટોનની આવૃત્તિ $\nu$ ની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. આ વક્રનો ઢાળ શું આપે છે?

જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ થી બદલીને $310 \ nm$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય ........ $eV$ છે.

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.6 \ eV$ છે. આ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, c = 3 \times 10^8 \ m/s, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J)$

$1.8\, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનની પ્રક્રિયામાં,સૌથી વધુ ઊર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $0.5\, eV$ છે. તો તેને અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ......... $V$ છે.