ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ માટેનું કાર્ય વિધેય અનુક્રમે $1.92 \ eV, 2.0 \ eV$ અને $5 \ eV$ છે. આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,$4100 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણથી કઈ ધાતુ(ઓ)માંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થશે?

જ્યારે $300 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો $UV$ પ્રકાશ $2.13 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે। સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($ \, V$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1240 \, eV \cdot nm$)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,જ્યારે $\lambda_{0}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે ત્યારે આપેલ ધાતુ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{0}$ વોલ્ટ છે. જો તે જ ધાતુ માટે $2\lambda_{0}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ (વોલ્ટમાં) કેટલું થશે? [$e=$ ઈલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર,$c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક.]

થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ '$\lambda$' ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ ઘટાડવામાં આવે જેથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન અમુક વેગ સાથે ગતિ કરતા હોય, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

$1.24 eV$ કાર્ય વિધેય ધરાવતી લક્ષ્ય સામગ્રી પર $4.36 \times 10^{-7} m$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($eV$ માં)?

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?
જ્યાં $h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક, $m =$ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ અને $c =$ પ્રકાશની ઝડપ.