જર્મેનિયમમાં એલ્યુમિનિયમની સાંદ્રતા $\sim 10^{21} \text{ atoms}/m^3$ છે. શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $\sim 10^{19} /m^3$ છે. અશુદ્ધિ ઉમેર્યા પછી,ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

એક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને હોલની સંખ્યાનો ગુણોત્તર $7/5$ છે અને તેમના પ્રવાહનો ગુણોત્તર $7/4$ છે,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

શુદ્ધ સિલિકોનના સેમ્પલમાં $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે. જો બધા ડોનર અણુઓ સક્રિય હોય અને ઈલેક્ટ્રોનની મોબિલીટી $1200 \text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$ હોય, તો $20^\circ\text{C}$ તાપમાને અવરોધકતા $\Omega\cdot\text{cm}$ માં કેટલી હશે?

ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરના ચાર્જ વિશે કયું વિધાન સાચું છે?

એક સિલિકોન નમૂનાને $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ફેરવવા માટે સરેરાશ દર $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સિલિકોન નમૂનામાં પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms } m^{-3}$ હોય,તો સિલિકોનમાં પ્રતિ ઘન સેન્ટિમીટર સ્વીકારક (acceptor) પરમાણુઓની સંખ્યા કેટલી હશે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી,હોલની સાંદ્રતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ $Si$ માં નવી ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.