$N-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર કેવો હોય છે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ અને હોલ $n_h$ ની સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધારીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ કરવામાં આવે છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ ની સાંદ્રતા ગણો.

એક અર્ધવાહકને વિદ્યુત ક્ષેત્રમાં મૂકવામાં આવે છે. ધારો કે વિદ્યુતભાર વાહકોની સંખ્યા ઘનતા $n$ છે અને સરેરાશ ડ્રિફ્ટ વેગ $v$ છે. જો તાપમાન વધારવામાં આવે,તો:

બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટર માટે,જ્યારે ડોપિંગનું સ્તર વધારવામાં આવે છે ત્યારે:

જો $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરવામાં આવે (ડોપિંગ),અને સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \, \text{atoms}/\text{m}^3$ હોય,તો એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $\text{atoms}/\text{cm}^3$ માં શોધો.

જ્યારે અર્ધવાહકમાં થોડી માત્રામાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા: