$15 \, nF$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરમાં $\varepsilon_{r} = 2.5$ ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ,ડાયલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $30 \, MV/m$ અને વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V = 30 \, V$ છે. તો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ....... $\times 10^{-4} \, m^{2}$ છે.

એક કેપેસિટરને આકૃતિ $A$ માં દર્શાવ્યા મુજબ ડાયઇલેક્ટ્રિક $(K=2)$ વડે અડધું ભરવામાં આવે છે. જો તે જ કેપેસિટરને આકૃતિ $B$ માં દર્શાવ્યા મુજબ તે જ ડાયઇલેક્ટ્રિક વડે ભરવાનું હોય, તો ડાયઇલેક્ટ્રિકની જાડાઈ $t$ કેટલી હોવી જોઈએ જેથી કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ સમાન રહે?

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \, pF$ છે. તેની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા બે ડાયલેક્ટ્રિક્સ વડે ભરવામાં આવે છે. એક ડાયલેક્ટ્રિકનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1 = 3$ અને જાડાઈ $d/3$ છે,જ્યારે બીજાનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_2 = 6$ અને જાડાઈ $2d/3$ છે. હવે કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ.........$pF$ થશે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર સેટઅપમાં,કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $2 \, m^{2}$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1 \, m$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $0.5 \, m$ જાડાઈ અને $2 \, m^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે (આકૃતિ જુઓ),તો સેટઅપનું કેપેસિટન્સ $......... \, \varepsilon_{0}$ થશે. (પદાર્થનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $= 3.2$) (નજીકના પૂર્ણાંકમાં રાઉન્ડ ઓફ કરો).

$2 \,mm$ જાડાઈ અને $36 \pi \,mm^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક ધાતુની પ્લેટને $6 \,mm$ પ્લેટ અંતર અને $36 \pi \,cm^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે છે. ધાતુની પ્લેટ એક પ્લેટથી $3 \,mm$ ના અંતરે છે. આ ગોઠવણીનું કેપેસિટન્સ કેટલું છે ($\,pF$ માં)? (ધારો કે $\frac{1}{4 \pi \varepsilon_0} = 9 \times 10^9 \,N m^2 C^{-2}$)

$d$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે છે,જેની ઋણ પ્લેટ $x = 0$ પર અને ધન પ્લેટ $x = 3d$ પર છે. સ્લેબ પ્લેટોથી સમાન અંતરે છે. કેપેસિટરને થોડો વિદ્યુતભાર આપવામાં આવે છે. જેમ આપણે $x = 0$ થી $x = 3d$ તરફ જઈએ છીએ તેમ: