એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની બે પ્લેટોની વચ્ચે અને તેમને સમાંતર એક તાંબાની શીટ મૂકવામાં આવે છે,જે પ્લેટોને સ્પર્શતી નથી. તાંબાની શીટ દાખલ કર્યા પછી કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ:

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3\,mm$ છે અને તેમની વચ્ચે હવા છે. હવે,$K = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થનું $1\,mm$ જાડું પડ પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે,જેના કારણે કેપેસિટન્સ વધે છે. કેપેસિટન્સને તેના મૂળ મૂલ્ય પર લાવવા માટે,પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર કેટલું કરવું જોઈએ......$mm$ ($.5$ માં)?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $0.01\, mm$ છે અને તે ઇન્સ્યુલેટર તરીકે ડાયઇલેક્ટ્રિક (જેની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $19\, kV/mm$ છે) નો ઉપયોગ કરે છે. કેપેસિટરના ટર્મિનલ્સ પર લગાવી શકાય તેવો મહત્તમ વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત......$V$ છે.

એક હવાના કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $15\,\mu F$ છે અને સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $6\,mm$ છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $3\,mm$ જાડાઈની તાંબાની પ્લેટ સપ્રમાણ રીતે મૂકવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ .........$\mu F$ થશે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે છે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ડાઈઈલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરી દેવામાં આવે છે. જો નવું કેપેસિટન્સ $3C$ હોય,તો માધ્યમનો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

બે સમાન કેપેસિટર $M$ અને $N$ ને બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. $M$ ની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા સંપૂર્ણપણે $8$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે અને $N$ ની પ્લેટો વચ્ચે $d/2$ જાડાઈની તાંબાની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે ($d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે). તો $M$ અને $N$ ના બે છેડા વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અનુક્રમે કયા ગુણોત્તરમાં હશે?