$20 \; \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને એવા વોલ્ટેજ સ્ત્રોત દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે જેનો પોટેન્શિયલ $3 \; V/s$ ના દરે બદલાય છે. કનેક્ટિંગ વાયરમાંથી વહેતો વહન પ્રવાહ (conduction current) અને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) અનુક્રમે કેટલો હશે?

દર્શાવો કે ચાર્જિંગ દરમિયાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેના બિંદુએ ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B = \frac{{\mu _0 \epsilon _0 r}}{2} \cdot \frac{{dE}}{{dt}}$ છે (જ્યાં સંજ્ઞાઓ તેમના સામાન્ય અર્થ ધરાવે છે).

મેક્સવેલના મતે,મેક્સવેલ-એમ્પીયર સર્કિટલ નિયમમાં કયું પદ ખૂટે છે?

$1 \ \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વોલ્ટેજ $4 \ V/s$ ના દરે બદલાઈ રહ્યો છે. કેપેસીટરમાં સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) કેટલો હશે ($\mu A$ માં)?

કેપેસિટરના ચાર્જિંગમાં એમ્પિયરના સર્કિટલ નિયમમાં વિરોધાભાસ શું છે?

યાદી-$I$ ને યાદી-$II$ સાથે જોડો અને નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:
| યાદી-$I$ | યાદી-$II$ |
| :--- | :--- |
| $A. \oint \vec{B} \cdot d\vec{l} = \mu_0 i_c + \mu_0 \varepsilon_0 \frac{d\phi_E}{dt}$ | $I. \text{વિદ્યુત માટે ગૌસનો નિયમ}$ |
| $B. \oint \vec{E} \cdot d\vec{l} = -\frac{d\phi_B}{dt}$ | $II. \text{ચુંબકત્વ માટે ગૌસનો નિયમ}$ |
| $C. \oint \vec{E} \cdot d\vec{A} = \frac{Q}{\varepsilon_0}$ | $III. \text{ફેરાડેનો નિયમ}$ |
| $D. \oint \vec{B} \cdot d\vec{A} = 0$ | $IV. \text{એમ્પીયર-મેક્સવેલ નિયમ}$ |