$4M$ દળનો એક સ્થિર કણ $M$ અને $3M$ દળના બે કણોમાં વિભાજિત થાય છે,જેમના વેગ શૂન્ય નથી. $M$ દળના કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ અને $3M$ દળના કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

$320 eV$ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ શોધો। ($h = 6.0 \times 10^{-34} \text{ SI unit}$, ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $m_{e} = 9.0 \times 10^{-31} \text{ kg}$, ઇલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \text{ C}$ લો)। ($pm$ માં)

એક પ્રોટોન અને એક ઇલેક્ટ્રોનને સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. જો તેમની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ અનુક્રમે $\lambda_p$ અને $\lambda_e$ હોય,તો:

કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ માટેનું સૈદ્ધાંતિક સૂત્ર શું છે?

જો આપણે સમાન દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન અને ફોટોનને ધ્યાનમાં લઈએ,તો તેમની પાસે સમાન શું હશે?

જો મુક્ત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા બમણી કરવામાં આવે,તો તેની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલા ગણા બદલાશે?