એક પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટીને વારાફરતી $3100 \mathring A$ અને $6200 \mathring A$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. એવું જોવા મળે છે કે બંને કિસ્સાઓમાં ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર $2:1$ છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $(hc = 12400 \, eV \mathring A)$ શોધો.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $200 \, nm$ થી બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે કેટલો હશે ($ \, V$ માં)? [$hc = 1240 \, eV \cdot nm$ નો ઉપયોગ કરો, જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે].

$3 \,eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોનનો પ્રવાહ પોટેશિયમની સપાટી પર આપાત થાય છે. પોટેશિયમનું કાર્ય વિધેય $2.3 \,eV$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને $5 \,mm$ દૂર રાખેલી કોપર પ્લેટ દ્વારા ધીમા પાડવામાં આવે છે. જો બે ધાતુની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $1 \,V$ હોય,તો ઇલેક્ટ્રોન પાછા ફરતા પહેલા પોટેશિયમની સપાટીથી કેટલા મહત્તમ અંતર સુધી જઈ શકશે? .......... $mm$.

જ્યારે પ્રકાશના સ્ત્રોતને ફોટોસેલથી $20 \ cm$ દૂર રાખવામાં આવે છે,ત્યારે $0.6 \ V$ નું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ મળે છે. જ્યારે સ્ત્રોતને $40 \ cm$ દૂર રાખવામાં આવે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ .......... $V$ હશે.

નીચેની ધાતુઓ માટે વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) આપેલા છે:
$Na: 2.75\;eV; K: 2.30\;eV; Mo: 4.17\;eV; Ni: 5.15\;eV$. ફોટોસેલથી $1\;m$ દૂર રાખેલા $He-Cd$ લેસરની $3300\,\mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા વિકિરણ માટે આમાંથી કઈ ધાતુઓ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન દર્શાવશે નહીં? જો લેસરને નજીક લાવીને $50\;cm$ દૂર રાખવામાં આવે તો શું થાય?

$eV_0 - \nu$ આલેખનો ઢાળ લખો.