$K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી એક સ્લેબનું આડછેદનું ક્ષેત્રફળ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો જેટલું જ છે અને તેની જાડાઈ $\frac{3}{4}d$ છે,જ્યાં $d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે. જ્યારે સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે ત્યારે કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે? (આપેલ છે: $C_{0} =$ પ્લેટો વચ્ચે હવા માધ્યમ હોય ત્યારે કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ)

$10 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતું કેપેસિટર,જેની પ્લેટો હવા દ્વારા $10 \text{ mm}$ અંતરે અલગ થયેલી છે અને દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $4 \text{ cm}^2$ છે,તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $K_1=2$ અને $K_2=3$ ના બે ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમોથી સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું નવું બળ $8 \text{ N}$ હોય,તો સપ્લાય વોલ્ટેજ . . . . . . $V$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી સાથે અવરોધરહિત સર્કિટમાં જોડવામાં આવે છે જ્યાં સુધી કેપેસિટર સંપૂર્ણ ચાર્જ ન થાય. ત્યારબાદ બેટરીને સર્કિટમાંથી દૂર કરવામાં આવે છે અને ઇન્સ્યુલેટેડ ગ્લવ્સનો ઉપયોગ કરીને કેપેસિટરની પ્લેટોને તેમની મૂળ અંતર કરતા અડધા અંતરે ખસેડવામાં આવે છે. ધારો કે $V_{new}$ એ પ્લેટો ખસેડ્યા પછી કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત છે અને $V_{old}$ એ જ્યારે તે બેટરી સાથે જોડાયેલું હતું ત્યારે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત છે. ગુણોત્તર $\frac{V_{new}}{V_{old}}$ શોધો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $8\,mm$ છે અને વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $(P.D.)$ $120\,V$ છે. જો તેની પ્લેટો વચ્ચે $6\,mm$ જાડાઈની અને $6$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબ મૂકવામાં આવે,તો:

$A$ ક્ષેત્રફળ અને $0.025 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે,$A$ ક્ષેત્રફળ અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતરના $1/3$ જેટલી જાડાઈ ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે. જો કેપેસિટરને $100 \ V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે,તો ધાતુની પ્લેટને કેપેસિટરમાંથી દૂર કરવા માટે કરવામાં આવેલ કાર્ય કેટલું હશે ($\mu J$ માં)?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે,$t_1$ જાડાઈ અને $k_1$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી એક પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે. બાકીની જગ્યામાં,$t_2$ જાડાઈ અને $k_2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી બીજી પ્લેટ છે. કેપેસિટરના બે છેડા વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?