एक इलेक्ट्रॉन गन को $R$ त्रिज्या वाले एक लंबे परिनालिका (solenoid) के अंदर उसकी अक्ष पर रखा गया है। परिनालिका में प्रति इकाई लंबाई $n$ फेरे हैं और इसमें $I$ धारा प्रवाहित हो रही है। इलेक्ट्रॉन गन $v$ गति के साथ परिनालिका की त्रिज्या की दिशा में एक इलेक्ट्रॉन को छोड़ती है। यदि इलेक्ट्रॉन परिनालिका की सतह से नहीं टकराता है,तो $v$ का अधिकतम संभव मान क्या होगा? (सभी प्रतीकों के अपने मानक अर्थ हैं)

  • A
    $\frac{e \mu_{0} nIR}{m}$
  • B
    $\frac{e \mu_{0} nIR}{2 m}$
  • C
    $\frac{2 e \mu_{0} nIR}{m}$
  • D
    $\frac{e \mu_{0} nIR}{4 m}$

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एक इलेक्ट्रॉन को धारावाही लंबी परिनालिका के अंदर अक्ष के अनुदिश एकसमान वेग से प्रक्षेपित किया जाता है। तब:

$(a)$ $5.20 \times 10^{6} \;m s^{-1}$ की गति वाला एक मोनोएनर्जेटिक इलेक्ट्रॉन बीम,बीम के वेग के लंबवत $1.30 \times 10^{-4} \;T$ के चुंबकीय क्षेत्र में गति करता है। यदि इलेक्ट्रॉन के लिए $e/m = 1.76 \times 10^{11} \;C \;kg^{-1}$ है,तो बीम द्वारा बनाए गए वृत्त की त्रिज्या क्या होगी?
$(b)$ क्या $(a)$ में उपयोग किया गया सूत्र $20 \;MeV$ इलेक्ट्रॉन बीम के पथ की त्रिज्या की गणना के लिए मान्य है? यदि नहीं,तो इसमें क्या संशोधन किया जाता है?

एक इलेक्ट्रॉन,प्रोटॉन,ड्यूटेरॉन और $\alpha -$ कण समान वेग के साथ एक समान चुंबकीय क्षेत्र में लंबवत प्रवेश करते हैं। किस कण की घूर्णन आवृत्ति अधिकतम होगी?

एक $\alpha$-कण और एक प्रोटॉन समान वेग के साथ अपने वेग की दिशा के लंबवत चुंबकीय क्षेत्र में गति करते हैं। उनके वृत्ताकार पथों की त्रिज्याओं का अनुपात ज्ञात कीजिए।

एक इलेक्ट्रॉन (द्रव्यमान $m$) को $V$ विभवांतर के माध्यम से त्वरित किया जाता है और फिर यह चुंबकीय क्षेत्र $B$ में क्षेत्र रेखाओं के लंबवत प्रवेश करता है। वृत्ताकार पथ की त्रिज्या क्या है? ($e$ = इलेक्ट्रॉनिक आवेश)

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