આપેલ પરિપથ મુજબ,બેટરીમાંથી વહેતો પ્રવાહ $\dots \; A$ હશે.

આપેલા વિકલ્પોમાં,કયો ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં છે?

$2 \text{ V}$ ની બેટરી એક ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસમાં જોડેલ છે. ડાયોડમાં $0.5 \text{ V}$ જેટલો વોલ્ટેજ ડ્રોપ થાય છે,જે તેમાંથી વહેતા પ્રવાહથી સ્વતંત્ર છે. $10 \text{ mA}$ કરતા વધારે પ્રવાહ ડાયોડમાં વધુ ગરમી ઉત્પન્ન કરે છે અને તેને નુકસાન પહોંચાડે છે. જો ડાયોડમાં $5 \text{ mA}$ પ્રવાહની જરૂર હોય,તો પરિપથમાં કેટલો શ્રેણી અવરોધ જોડવો જોઈએ?

$Ge$ અને $Si$ ડાયોડ અનુક્રમે $0.3\,V$ અને $0.7\,V$ પર વહન કરવાનું શરૂ કરે છે. નીચેની આકૃતિમાં,જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ ના મૂલ્યમાં કેટલો ફેરફાર થશે: ...... $V$ (ધારો કે $Ge$ ડાયોડ પાસે મોટો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે).

એક જંકશન ડાયોડનો ફોરવર્ડ બાયસમાં અવરોધ $50 \, \Omega$ અને રિવર્સ બાયસમાં $5000 \, \Omega$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવેલ પરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં, ડેપ્લેશન રિજનમાં $2 \times 10^5 \ V/m$ ના મૂલ્યનું વિદ્યુતક્ષેત્ર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. $-3e$ વીજભાર ધરાવતો કણ $n$-બાજુથી $p$-બાજુ તરફ પ્રસરણ કરી શકે છે, જો તેની પાસે ન્યૂનતમ ગતિઊર્જા $0.6 \ eV$ હોય. $p-n$ જંકશનના ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈ કેટલી હશે ($nm$ માં)?