વિધાન : અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેનું અપાકર્ષણ,અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ અને બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેના અપાકર્ષણ કરતા વધારે હોય છે.
કારણ : બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સરખામણીમાં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ દ્વારા રોકાયેલી જગ્યા વધારે હોય છે.

  • A
    જો વિધાન અને કારણ બંને સાચા હોય અને કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી હોય.
  • B
    જો વિધાન અને કારણ બંને સાચા હોય પરંતુ કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી ન હોય.
  • C
    જો વિધાન સાચું હોય પરંતુ કારણ ખોટું હોય.
  • D
    જો વિધાન અને કારણ બંને ખોટા હોય.

Explore More

Similar Questions

$XeOF_4$ નો આકાર (ભૂમિતિ) શું છે?

$XeF_4$ ની આણ્વિય ભૂમિતિ ઓળખો.

નીચેનામાંથી કઈ જોડી આઈસોસ્ટ્રક્ચરલ (isostructural) છે?

નીચેનામાંથી કઈ આણ્વીય સ્પીસીઝ રેખીય નથી?

સમજાવો: $NH_3$ અણુનો આકાર ત્રિકોણીય પિરામિડલ છે.

Difficult
View Solution

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo