વિધાન $(A)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર પ્રકાશની તરંગ પ્રકૃતિ દર્શાવે છે.
કારણ $(R)$: ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા પ્રકાશની આવૃત્તિના સમપ્રમાણમાં હોય છે.

એક ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ એક ફોટોન જેટલી જ છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ પ્રકાશના વેગના $25 \%$ હોય,તો ઇલેક્ટ્રોનની $K.E.$ અને ફોટોનની $K.E.$ નો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

હાઇડ્રોજન પરમાણુના $3 \rightarrow 2$ સંક્રમણને અનુરૂપ વિકિરણ સોનાની સપાટી પર આપાત થઈને ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોનને $5 \times 10^{-4} \, T$ ના ચુંબકીય ક્ષેત્રમાંથી પસાર કરવામાં આવે છે. ધારો કે આ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા અનુસરવામાં આવતા સૌથી મોટા વર્તુળાકાર પથની ત્રિજ્યા $7 \, mm$ છે,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય $..... \, eV$ છે. (ઈલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9.1 \times 10^{-31} \, kg$)

ફોટો ઈલેક્ટ્રીક અસરના પ્રયોગમાં,ત્રણ જુદી જુદી ધાતુની પ્લેટો $p, q$ અને $r$ ના કાર્ય વિધેય અનુક્રમે $\phi_p = 2.0 \ eV, \phi_q = 2.5 \ eV$ અને $\phi_r = 3.0 \ eV$ છે. આપાત પ્રકાશના કિરણોની તરંગલંબાઈ $\lambda_p = 550 \ nm, \lambda_q = 450 \ nm$ અને $\lambda_r = 350 \ nm$ છે. દરેક પ્લેટ માટે પ્રકાશની તીવ્રતા સમાન છે. પ્રયોગ માટેનો સાચો $I-V$ આલેખ કયો છે? $[hc = 1240 \ eV \ nm]$

ઇલેક્ટ્રોનના કદની ઉપરની મર્યાદા નક્કી કરવાની એક શક્તિશાળી રીત જણાવો.

વિધાન $(A)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,પ્રકાશની તીવ્રતા વધારવાથી,ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને તે દરેકની ગતિ ઊર્જા બંને વધે છે,પરંતુ ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ બદલાતો નથી.
કારણ $(R)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માત્ર પ્રકાશની તરંગલંબાઈ પર આધાર રાખે છે.