વિધાન $(A)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,પ્રકાશની તીવ્રતા વધારવાથી,ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને તે દરેકની ગતિ ઊર્જા બંને વધે છે,પરંતુ ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ બદલાતો નથી.
કારણ $(R)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માત્ર પ્રકાશની તરંગલંબાઈ પર આધાર રાખે છે.

નીચેના કોલમ જોડો:

કોલમ-$I$	કોલમ-$II$
$A$. હોલવાક્સ અને લેનાર્ડ	$P$. ટ્રાન્સફોર્મર્સ
$B$. ફ્રેન્ક-હર્ટ્ઝ	$Q$. માઇક્રોવેવ
$C$. ક્લાઇસ્ટ્રોન વાલ્વ	$R$. ઉર્જા સ્તરોનું ક્વોન્ટાઇઝેશન
$D$. નિકોલા ટેસ્લા	$S$. ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર

વિધાન $(A)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર પ્રકાશની તરંગ પ્રકૃતિ દર્શાવે છે.
કારણ $(R)$: ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા પ્રકાશની આવૃત્તિના સમપ્રમાણમાં હોય છે.

$3.8 eV$ નું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થઈને ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોનને $2 \times 10^{-4} T$ ના ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં દાખલ કરવામાં આવે છે. જો આ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા અનુસરવામાં આવતા સૌથી મોટા વર્તુળાકાર પથની ત્રિજ્યા $30 mm$ હોય,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય કેટલું હશે ($eV$ માં)? (ઈલેક્ટ્રોનનું દળ $m_{e} = 9 \times 10^{-31} kg$)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર (photoelectric effect) માં:
$A.$ ફોટોકરંટ એ આપાત વિકિરણની તીવ્રતાના સમપ્રમાણમાં હોય છે.
$B.$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન જે મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે,તે આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખે છે.
$C.$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન જે મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે,તે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ પર આધાર રાખે છે.
$D.$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જન માટે આપાત વિકિરણની લઘુત્તમ થ્રેશોલ્ડ તીવ્રતાની જરૂર હોય છે.
$E.$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા એ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિથી સ્વતંત્ર છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

નીચેના વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
$A$. લક્ષ્ય પદાર્થના ચુસ્ત રીતે બંધાયેલા ઇલેક્ટ્રોન $X$-રે ફોટોનનું પ્રકીર્ણન કરે છે,જેના પરિણામે કોમ્પ્ટન અસર થાય છે.
$B$. ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાથે થાય છે.