$p-n$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर नहीं करता है?

एक आदर्श डायोड मानते हुए,चित्र में दिखाए गए परिपथ में $1 \Omega$ के प्रतिरोध से प्रवाहित होने वाली धारा ज्ञात कीजिए।

एक अनबायस्ड $PN$-जंक्शन में,जंक्शन पर विभव (potential) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

$P-N$ जंक्शन बनाने के लिए $Si$ पदार्थ का उपयोग किया गया है। तो डिप्लेशन बैरियर की ऊंचाई लगभग कितने $V$ होगी?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में,गर्म होने के कारण तापमान में परिवर्तन

एक $2 \text{ V}$ की बैटरी को एक डायोड के साथ फॉरवर्ड बायस में जोड़ा गया है। डायोड के सिरों पर $0.5 \text{ V}$ का वोल्टेज ड्रॉप होता है,जो इसमें बहने वाली धारा से स्वतंत्र है। $10 \text{ mA}$ से अधिक की धारा अत्यधिक ऊष्मा उत्पन्न करती है और डायोड को नुकसान पहुँचाती है। यदि डायोड में $5 \text{ mA}$ की धारा की आवश्यकता है,तो परिपथ में कितना श्रेणी प्रतिरोध जोड़ा जाना चाहिए?