ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર દ્વારા,આઈન્સ્ટાઈને શું સાબિત કર્યું?

$5000 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $1.9 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ............ $eV$ હશે.

જ્યારે $hv$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $E_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી એલ્યુમિનિયમ પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $K$ છે. જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા કેટલી થશે?

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?
જ્યાં $h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક, $m =$ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ અને $c =$ પ્રકાશની ઝડપ.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $\upsilon$ છે. જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ બદલીને $3\lambda / 4$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ .......... હશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં સોડિયમની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5000 \ \mathring A$ છે. તેનું વર્કફંકશન $eV$ માં શોધો. $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, c = 3 \times 10^8 \ m/s, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J)$