આપેલ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ બદલવા માટે,$K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે,જેનું ક્ષેત્રફળ કેપેસિટરની પ્લેટો જેટલું જ છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબની જાડાઈ $\frac{3}{4} d$ છે,જ્યાં $d$ એ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે. મૂળ કેપેસિટન્સ $(C_{0})$ ના સંદર્ભમાં નવું કેપેસિટન્સ $(C')$ નીચેના સંબંધ દ્વારા આપવામાં આવે છે:

$10\,\mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા એક હવાના કેપેસીટરને $12\,V$ ની અચળ વોલ્ટેજ બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે,પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને $5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પ્રવાહીથી ભરવામાં આવે છે. તો બેટરીમાંથી કેપેસીટર તરફ વહેતો વધારાનો વિદ્યુતભાર......$\mu C$ છે.

એક કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જ્યારે તેમાં $4 \times 10^{-5} \ m$ જાડાઈની ડાઇઇલેક્ટ્રિક પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે વોલ્ટેજ સમાન રાખવા માટે બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3.5 \times 10^{-5} \ m$ જેટલું વધારવું પડે છે. તો ડાઇઇલેક્ટ્રિકનો ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ કેટલો હશે?

એક કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડતા તે $60\,\mu C$ જેટલો વિદ્યુતભાર સંગ્રહિત કરે છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે,ત્યારે બેટરીમાંથી વધારાનો $120\,\mu C$ વિદ્યુતભાર વહે છે. દાખલ કરેલા ડાયઇલેક્ટ્રિકનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ છે જે તેની પ્લેટોના $1/3$ ક્ષેત્રફળને આવરી લે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. કેપેસિટરનું કુલ કેપેસિટન્સ $C$ છે જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક ધરાવતા ભાગનું કેપેસિટન્સ $C_1$ છે. જ્યારે કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક દ્વારા આવરી લેવાયેલ પ્લેટ વિસ્તાર પર $Q_1$ ચાર્જ અને બાકીના વિસ્તાર પર $Q_2$ ચાર્જ મળે છે. ધારની અસરોને અવગણીને,સાચો વિકલ્પ/વિકલ્પો પસંદ કરો.
$(A)$ $\frac{E_1}{E_2}=1$ $(B)$ $\frac{E_1}{E_2}=\frac{1}{K}$ $(C)$ $\frac{Q_1}{Q_2}=\frac{K}{2}$ $(D)$ $\frac{C}{C_1}=\frac{2+K}{K}$

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને પહેલા ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. કઈ રાશિ બદલાતી નથી?