ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે,ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E_{k})$ ને આપાત ફોટોનની આવૃત્તિ $(\nu)$ ની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. આલેખનો ઢાળ શું આપે છે?

એક પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટીને વારાફરતી $3100 \mathring A$ અને $6200 \mathring A$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. એવું જોવા મળે છે કે બંને કિસ્સાઓમાં ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર $2:1$ છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $(hc = 12400 \, eV \mathring A)$ શોધો.

$2.5 eV$ અને $3.5 eV$ ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન $1.5 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એમિટર પ્લેટ $E$ પર એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે સ્વીચ $S_1$ બંધ હોય અને સ્વીચ $S_2$ ખુલ્લી હોય,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ $C$ પર અથડાય છે. જો સ્વીચ $S_1$ ખુલ્લી હોય અને સ્વીચ $S_2$ બંધ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન $20 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ પર અથડાય છે. એમિટર પ્લેટની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે $300 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે $600 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બે ઉત્સર્જકોના કાર્ય વિધેય (work function) નો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$300 \ nm$ તરંગલંબાઈ અને $1.0 \ W/m^2$ તીવ્રતા ધરાવતો અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થની સપાટી પર પડે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી $1\%$ ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે,તો સપાટીના $1.0 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા આશરે કેટલી હશે?