ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર દર્શાવતી આકૃતિ પરથી આપણે યોગ્ય રીતે શું અનુમાન લગાવી શકીએ?

આઈન્સ્ટાઈનનું ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ ${E_k} = h\nu - \phi$ છે. આ સમીકરણમાં ${E_k}$ શું દર્શાવે છે?

આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ અનુસાર,ધાતુમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિનો આલેખ સુરેખ મળે છે,જેનો ઢાળ:

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $v$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_s$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $v/2$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_s/4$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એમિટર પ્લેટ $E$ પર એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે સ્વીચ $S_1$ બંધ હોય અને સ્વીચ $S_2$ ખુલ્લી હોય,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ $C$ પર અથડાય છે. જો સ્વીચ $S_1$ ખુલ્લી હોય અને સ્વીચ $S_2$ બંધ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન $20 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ પર અથડાય છે. એમિટર પ્લેટની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

એક પદાર્થનું વર્કફંક્શન $4.0 \ eV$ છે. પદાર્થમાંથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થઈ શકે તે માટે પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ............ $nm$ છે.