જ્યારે કોઈ ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $v$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_s$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $v/2$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_s/4$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

$P.E.E.$ (ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર) ના પ્રયોગમાં, સંતૃપ્ત પ્રવાહ $5\,mA$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $10\,V$ છે. જો પ્રકાશની તીવ્રતા અને આવૃત્તિ બંને બમણી કરવામાં આવે, તો નવો સંતૃપ્ત પ્રવાહ $(i_s)$ અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ શું હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે,ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E_k$ ને આપાત ફોટોનની આવૃત્તિ $\nu$ ની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. આ વક્રનો ઢાળ શું આપે છે?

$400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી તરંગોનું વિકિરણ $Zn$,$Fe$ અને $Ni$ ધાતુઓની સપાટી પર આપાત થાય છે,જેમના કાર્ય વિધેય (work functions) અનુક્રમે $3.4 \ eV$,$4.8 \ eV$ અને $5.9 \ eV$ છે. ($hc = 1242 \ eV \ nm$ લો)
$(a)$ કોઈપણ ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE)$ $0.3 \ eV$ છે.
$(b)$ $Ni$ ની સપાટીમાંથી કોઈ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થતા નથી.
$(c)$ જો વિકિરણ સ્ત્રોતની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની $KE$ પણ બમણી થઈ જાય છે.
$(d)$ જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ કરતા ઓછી હોય,તો ત્રણેય ધાતુઓની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થશે.
સાચા વિધાનો છે:

જ્યારે $4 \times 10^{15} \,Hz$ અને $6 \times 10^{15} \,Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતા વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણો અલગ-અલગ પ્રયોગોમાં એક જ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: 3$ છે. ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ............... $\times 10^{15} Hz$ છે.

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$ : પ્રકાશની આવૃત્તિ વધવાથી ફોટોનની સંખ્યા વધે છે.
કારણ $R$ : ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથે વધે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો: