निम्नलिखित में से बेमेल को पहचानें।

निम्नलिखित कथनों पर विचार करें $:$
$A.$ सौर सेल का जंक्शन क्षेत्रफल फोटोडायोड की तुलना में बहुत बड़ा बनाया जाता है।
$B.$ सौर सेल किसी भी बाहरी बायस से नहीं जुड़े होते हैं।
$C.$ $\text{LED}$ भारी डोपित (heavily doped) $p-n$ जंक्शन से बनी होती है।
$D.$ फॉरवर्ड करंट में वृद्धि के परिणामस्वरूप $\text{LED}$ प्रकाश की तीव्रता में निरंतर वृद्धि होती है।
$E.$ प्रकाश के उत्सर्जन के लिए $\text{LED}$ को फॉरवर्ड बायस में जोड़ा जाना चाहिए।
निम्नलिखित में से कौन से कथन सही हैं?

$2.8 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ जंक्शन बनाया गया है। यह किस अनुमानित तरंगदैर्ध्य का पता नहीं लगा सकता है ($nm$ में)?
[ $h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ और $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ का उपयोग करें ]

दृश्यमान LEDs के निर्माण के लिए उपयोग किए जाने वाले अर्धचालक (semiconductor) का बैंड गैप कम से कम कितना होना चाहिए ($eV$ में)?

यदि एक अर्धचालक फोटोडायोड $400\, nm$ की अधिकतम तरंगदैर्ध्य वाले फोटॉन का पता लगा सकता है, तो इसकी बैंड गैप ऊर्जा क्या होगी ($ eV$ में)? (दिया गया है: प्लांक नियतांक $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)

$LED$ की अधिकतम रेटेड शक्ति $2 \text{ mW}$ है और इसे नीचे दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार $5 \text{ V}$ के इनपुट वोल्टेज के साथ सर्किट में उपयोग किया जाता है। प्रतिरोध $R$ से गुजरने वाली धारा $0.5 \text{ mA}$ है। यह सुनिश्चित करने के लिए कि $LED$ क्षतिग्रस्त न हो, प्रतिरोध $R_S$ का न्यूनतम मान . . . . . . $\text{k}\Omega$ है।