$P$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में क्या होता है?

अर्धचालक (सेमीकंडक्टर) की डोपिंग (छोटे अशुद्धि परमाणुओं के साथ) सामान्यतः प्रतिरोधकता को किस प्रकार बदलती है?

कमरे के तापमान पर आंतरिक $Ge$ के एक नमूने में इलेक्ट्रॉनों और होल्स की गतिशीलता (mobilities) क्रमशः $0.35 \, m^2/V-s$ और $0.18 \, m^2/V-s$ है। यदि इलेक्ट्रॉन और होल घनत्व प्रत्येक $2.5 \times 10^{19} \, /m^3$ के बराबर हैं,तो $Ge$ की चालकता.....$S/m$ होगी। ($.12$ में)

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉनों $(n_e)$ और होल्स $(n_h)$ की सांद्रता समान है और यह $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। यदि इंडियम के साथ डोपिंग के बाद होल्स की सांद्रता $(n_h)$ बढ़कर $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाती है,तो डोप्ड $Si$ में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता $(n_e)$ की गणना करें।

जब जर्मेनियम को किसके साथ डोप किया जाता है,तो $N-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductors) प्राप्त होते हैं?

यदि होल्स और इलेक्ट्रॉनों की संख्या को क्रमशः $n_h$ और $n_e$ द्वारा दर्शाया जाए,तो एक नैज (intrinsic) अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा सही है?