$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,પ્લેટોની વચ્ચે તેમને સમાંતર એક ધાતુની શીટ મૂકવામાં આવે છે. જો શીટની જાડાઈ પ્લેટો વચ્ચેના અંતર કરતા અડધી હોય,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

$2 \,mm$ જાડાઈ અને $36 \pi \,mm^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક ધાતુની પ્લેટને $6 \,mm$ પ્લેટ અંતર અને $36 \pi \,cm^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે છે. ધાતુની પ્લેટ એક પ્લેટથી $3 \,mm$ ના અંતરે છે. આ ગોઠવણીનું કેપેસિટન્સ કેટલું છે ($\,pF$ માં)? (ધારો કે $\frac{1}{4 \pi \varepsilon_0} = 9 \times 10^9 \,N m^2 C^{-2}$)

પ્લેટો વચ્ચે હવાના માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $10 \mu F$ છે. કેપેસિટરના ક્ષેત્રફળને બે સમાન ભાગોમાં વહેંચવામાં આવે છે અને તેમાં $K_1=2$ અને $K_2=4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા બે માધ્યમો ભરવામાં આવે છે (આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ). તો આ સિસ્ટમનું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $5\,\mu F$ છે. જ્યારે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે કાચની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે તેનો પોટેન્શિયલ મૂળ મૂલ્યના $1/8$ ગણો થઈ જાય છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંકનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

ત્રણ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર, દરેકનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને અંતર $d$ છે, જે નીચે મુજબ બે ડાયઇલેક્ટ્રિક્સ ($k_1$ અને $k_2$) વડે ભરવામાં આવ્યા છે. નીચેનામાંથી કયું સાચું છે? $(k_1 > k_2)$

હવામાં રહેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \ pF$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ વધીને $6 \ pF$ થાય છે. તો તે પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?