ત્રણ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર, દરેકનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને અંતર $d$ છે, જે નીચે મુજબ બે ડાયઇલેક્ટ્રિક્સ ($k_1$ અને $k_2$) વડે ભરવામાં આવ્યા છે. નીચેનામાંથી કયું સાચું છે? $(k_1 > k_2)$

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $100 \ V$ ના સ્થિતિમાન સુધી વિદ્યુતભારીત કરવામાં આવે છે. હવે $2 \ mm$ જાડાઈની ડાય-ઇલેક્ટ્રિક પ્લેટને બે પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. સમાન વિદ્યુત સ્થિતિમાન જાળવી રાખવા માટે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6 \ mm$ જેટલું વધારવામાં આવે છે,તો પ્લેટનો ડાય-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

જો આપેલ તંત્રનો સમતુલ્ય ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ હોય,તો...

હવામાં રહેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને તેને પ્રવાહીમાં ડૂબાડવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ બમણું થાય છે. પ્રવાહીનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $4 \ pF$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $K = 6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સનું મૂલ્ય . . . . . . થશે. ($pF$ માં)

આપેલ આકૃતિમાં,સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે સંયુક્ત ડાયલેક્ટ્રિક મૂકીને એક કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે. આ કેપેસિટરની કેપેસીટન્સનું સૂત્ર શું હશે? (આપેલ પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $= A$)