ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ વિરુદ્ધ તરંગલંબાઈનો વ્યસ્ત $(1/\lambda)$ નો આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. જેમ આપાત વિકિરણની તીવ્રતા વધારવામાં આવે તેમ:

જ્યારે $4 \times 10^{15} \,Hz$ અને $6 \times 10^{15} \,Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતા વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણો અલગ-અલગ પ્રયોગોમાં એક જ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: 3$ છે. ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ............... $\times 10^{15} Hz$ છે.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો પ્રથમ કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બીજા કિસ્સાની ગતિઊર્જા કરતા ચોથા ભાગની હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) શોધો ($c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક).

ટંગસ્ટન પર સિઝિયમની બનેલી ફોટો સંવેદી સપાટીને નિયોન બલ્બમાંથી $640.2 \ nm$ $(1 \ nm = 10^{-9} \ m)$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. માપવામાં આવેલ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.54 \ V$ છે. જો આ સ્ત્રોતને બદલીને સમાન ફોટોસેલ પર $427.2 \ nm$ ની રેખા વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો નવું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?

જ્યારે $v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ બે ધાતુની પ્લેટો $A$ અને $B$ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો $A$ નું વર્ક ફંક્શન $B$ કરતા વધારે હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ અને આપાત આવૃત્તિ $v$ વચ્ચે દોરવામાં આવેલા નીચેનામાંથી કયો આલેખ સાચો છે?

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ પોટેન્શિયલ $6.0 \ V$ છે. જો બીજા સ્ત્રોતનો ઉપયોગ કરવામાં આવે જેની તરંગલંબાઈ પ્રથમ કરતા ચાર ગણી અને તીવ્રતા પ્રથમ કરતા અડધી હોય,તો આ પોટેન્શિયલ ઘટીને $0.6 \ V$ થઈ જાય છે. પ્રથમ સ્ત્રોતની તરંગલંબાઈ અને ધાતુનું વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે કેટલું હશે? $\left[\text{લો } hc = 1.24 \times 10^{-6} \ J \ m\right]$