ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(v)$ વધારવામાં આવે અને અન્ય તમામ પરિબળો અચળ રાખવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ પર શું અસર થશે? (જ્યાં $v > v_0$ અને $v_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ છે)

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે $1 \ W/m^2$ તીવ્રતા અને $5 \times 10^{-7} \ m$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે તેનું સંપૂર્ણ શોષણ થાય છે. જો $100$ ફોટોન એક ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતા હોય અને સપાટીનું ક્ષેત્રફળ $1 \ cm^2$ હોય, તો ફોટોઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહ કેટલો હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એમિટર પ્લેટ $E$ પર એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે સ્વીચ $S_1$ બંધ હોય અને સ્વીચ $S_2$ ખુલ્લી હોય,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ $C$ પર અથડાય છે. જો સ્વીચ $S_1$ ખુલ્લી હોય અને સ્વીચ $S_2$ બંધ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન $20 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ પર અથડાય છે. એમિટર પ્લેટની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે:

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $3.0 \ eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે તેવા પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($nm$ માં)?