જ્યારે $1 \ W/m^2$ તીવ્રતા અને $5 \times 10^{-7} \ m$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે તેનું સંપૂર્ણ શોષણ થાય છે. જો $100$ ફોટોન એક ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતા હોય અને સપાટીનું ક્ષેત્રફળ $1 \ cm^2$ હોય, તો ફોટોઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહ કેટલો હશે?

જ્યારે $300 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર પડે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મુક્ત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે,$600 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બંને ઉત્સર્જકોના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર શું છે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણપુંજ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર પડે છે, જે ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ માં રાખેલ છે. સૌથી વધુ ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન, જે ક્ષેત્રને લંબ રૂપે ગતિ કરે છે, તે $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર ચાપમાં વળે છે. જો આ પ્રયોગ $\lambda$ ના વિવિધ મૂલ્યો માટે કરવામાં આવે, તો $B^2$ વિરુદ્ધ $\frac{1}{\lambda}$ નો આલેખ કેવો દેખાશે (અન્ય તમામ રાશિઓ અચળ રાખતા)?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટી પર આપાત થાય છે અને $E$ ઉર્જા સાથે ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો $E$ ને મૂળ મૂલ્ય કરતા બમણું કરવામાં આવે,તો તરંગલંબાઈ બદલાઈને $\lambda_1$ થાય છે. નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

એક ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5 \times 10^{-10} \, m$ છે. જ્યારે તેને $2 \times 10^{-10} \, m$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું થશે?

બે અલગ-અલગ પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થો કે જેમના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $\phi$ અને $2 \phi$ છે,તેમને ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરવા માટે પૂરતી ઊર્જા ધરાવતા પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો આ બે પદાર્થો માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દોરવામાં આવે,તો આ બે પદાર્થો માટે આલેખના ઢાળનો ગુણોત્તર શું હશે?